En cette fin janvier, Toshiba démarre l’échantillonnage de deux nouveaux membres au sein de sa gamme de circuits intégrés compatibles Bluetooth Low Energy (BLE) 5.0 qui se distinguent essentiellement par une sensibilité record de -105 dBm à 125 kbit/s ...et la présence d’un amplificateur à haut rendement qui délivre une puissance d’émission de +8 dBm. Des caractéristiques qui, selon la firme japonaise, assurent des communications à longue portée pour une consommation minimale.
Référencés TC35680FSG et TC35681FSG et architecturés autour d’un cœur ARM Cortex-M0, les deux circuits sont conformes aux fonctionnalités haut débit et longue portée du standard Bluetooth 5, et notamment aux spécifications Bluetooth LE 2M PHY (2 Mbit/s) et LE Coded PHY (qui quadruple la portée à 125 kbit/s et 250 kbit/s). Prenant en charge les profils HCI et Gatt, ils intègrent en outre une mémoire ROM masquée de 256 Ko (pour le traitement Bluetooth bande de base) ainsi qu’une RAM de 144 Ko (pour le traitement des applications et des données).
Le modèle TC35680FSG embarque en sus 128 Ko de mémoire flash ROM pour stocker les programmes utilisateur et les données associées, ce qui évite le recours à une mémoire externe non volatile en fonctionnement autonome. La référence TC35681FSG, qui fonctionne dans une gamme de température comprise entre -40°C et +125°C, n’est pas dotée de cette mémoire flash intégrée et a vocation à fonctionner en association avec une mémoire non volatile externe ou avec un processeur hôte. Les deux circuits disposent d’interfaces GPIO à 18 ports, configurables en canaux SPI, I2C ou UART, et permettent d’implanter une fonction réveil, quatre canaux PWM, une interface de conversion A/N 5 canaux, etc.
Présentés en boîtiers QFN40 de 5 x 5 mm, les TC35680FSG et TC35681FSG consomment 11 mA à l’émission, 5,1 mA à la réception et 100 nA en mode sommeil profond.
