Le fabricant de semi-conducteurs Cypress a commencé l’échantillonnage d’une famille de mémoires FRam (Ferroelectric Random Access Memories) série de 4 Mbit, la plus grande capacité pour ce type de RAM ferroélectrique ...non volatile à haute endurance (Fujitsu commercialise déjà des FRam 4 Mbit à interface parallèle).

Cette famille, dont la production doit démarrer au cours du quatrième trimestre 2015, se distingue par son interface série SPI à 40 MHz, son fonctionnement sous une tension comprise entre 2 V et 3,6 V et sa disponibilité dans divers boîtiers compatibles RoHS (8EIAJ et 8TDFN).

Toutes les mémoires FRam de Cypress sont censées supporter jusqu’à 100 trillions de cycles de lecture/écriture avec une durée de rétention des données de 10 ans à 85°C (151 ans à 65°C). Elles sont plus particulièrement destinées à satisfaire les besoins d’applications critiques dans les domaines du contrôle et des automatismes industriels, du comptage d’énergie, des imprimantes multifonctions, des équipements de test et mesure et des dispositifs médicaux portés sur soi.