Sous la référence TC35679IFTG, Toshiba lance un circuit radio compatible avec la spécification Bluetooth Low Energy 4.2 calibré pour un fonctionnement dans les environnements automobiles sévères et dans une gamme de température étendue (de -40°C à +105°C sous une tension d’alimentation comprise entre 2,7 V et 3,6 V). ...Conçu pour une conformité AEC-Q100 et présenté en boîtier QFN à 40 broches de 6 x 6 x 1 mm, le circuit intègre les composants analogiques RF et numériques bande de base et affiche une consommation crête de 3,3 mA à l’émission (0 dBm) et à la réception et une consommation en mode sommeil profond inférieure à 100 nA (sous 3 V).
Architecturé autour d’un cœur ARM Cortex-M0, le TC35679IFTG embarque aussi une mémoire ROM masquée de 384 Ko (pour le traitement en bande de base des piles Bluetooth) et 192 Ko de RAM pour les programmes applicatifs Bluetooth et les données. Le circuit, qui exécute les fonctions Bluetooth HCI (Host Control Interface) et le profil Bluetooth GATT basse consommation, peut être utilisé comme un « vrai » processeur d‘application une fois couplé à de la mémoire externe non volatile, mais il peut aussi être associé à un processeur hôte, précise Toshiba.
Le TC35679IFTG est en outre doté de 17 lignes GPIO et de multiples options de communication telles que SPI, I2C et UART (deux canaux à 921,6 kbit/s). On y trouve aussi une interface de réveil, une interface PWM à quatre canaux, un convertisseur A/N à six canaux et la capacité de gérer l’interface de commande d’un amplificateur de puissance externe optionnel. Un convertisseur DC-DC et des circuits LDO complètent l’ensemble.
