ST à la tête du projet STARLight choisi par l’UE pour piloter la photonique sur silicium sur des plaquettes de 300 mm

Vingt quatre entreprises technologiques et universités de premier plan, représentant onze pays de l’Union Européenne, réunies dans un consortium piloté par STMicroelectronics, vont travailler à l’émergence d’une  ligne de production à haut volume dans le domaine de la technologie photonique sur silicium (SiPho) sur des plaquettes de 300 mm.

L’objectif est de développer des modules optiques de pointe et de favoriser une chaîne de valeur complète pour ce domaine. Avec en ligne de mire la mise en place de solutions orientées applications sur des secteurs industriels clés tels que les marchés des data centers, les clusters d’intelligence artificielle (IA), les télécommunications et l’automobile.

Ce consortium baptisé STARLight (Silicon Technology for Applications Relying on Light with photonics devices) a été sélectionné par la Commission européenne dans le cadre de l’initiative EU CHIPS Joint Undertaking.

« La technologie photonique sur silicium joue un rôle critique pour positionner l’Europe au carrefour de l’usine d’IA du futur, et le projet STARLight représente une avancée majeure pour l’ensemble de la chaîne de valeur en Europe, commente Rémi El-Ouazzane, Président du groupe Microcontrôleurs, Circuits intégrés numériques et Produits RF de STMicroelectronics. En se concentrant sur les applications, le projet vise à fournir des solutions de pointe fondées sur des technologies en photonique sur silicium, en particulier pour les interconnexions optiques, mais aussi les lidar, les applications spatiales et les processeurs photoniques conçus gare des applications d’intelligence artificielle »

Cette technolgie de photonique sur silicium, allie les capacités de fabrication à haut rendement du silicium CMOS, couramment utilisé dans les circuits électroniques, avec les avantages de la photonique, qui utilise la lumière pour transmettre les données.

A travers le projet, il va s’agir par exemple de réer des modulateurs de haute efficacité capables de fonctionner à des débits supérieurs à 200 Gigabit/s ou de développer des lasers embarqués sur puce. Divers matériaux avancés seront explorés avec des acteurs tels que Soitec, le CEA-LETI, l’imec, l’université de Paris Saclay, III-V LAB et Lumiphse intégrés sur une seule plateforme photonique sur silicium de type silicium sur isolant (SOI)ou Niobate de lithium sur isolant (LNOI) ou encore Titanate de baryum (BTO).

Les technologies d’optimisation de d’encapsulation et de l’intégration des circuits intégrés photoniques aux circuits électroniques sera aussi abordée par le consortium.