
Everspin et Lattice Semiconductor collaborent sur des solutions d’intégration de mémoires MRam à haute fiabilité dans des FPGA La mémoire Mram (Magnetoresistive Random Access Memory) Persyst de la société américaine Everspin, développeur et fabricant mondial de solutions de mémoire persistante, vient d’être validée pour entrer dans la configuration de toutes les familles de FPGA de Lattice, annonce la société. Cette mémoire sera activée à travers la suite logicielle Radiant de Lattice et grâce à cette validation sera désormais disponible en tant que dispositif de mémoire robuste pour une large gamme d'applications dans des secteurs tels que l'industrie, l'aérospatiale, l'armée et l'automobile. Pour rappel, la technologie MRam est en train de révolutionner les mémoires embarquées dans les systèmes fondés sur des microcontrôleurs et maintenant des circuits programmables. Elle utilise les effets de la spintronique, que l’on peut voir comme un mariage entre électronique et magnétisme, pour stocker l’information. La MRam permet notamment d'optimiser la densité de stockage, la consommation d'énergie et les vitesses de lecture/écriture, en faisant d’elle une alternative aux technologies mémoire traditionnelles, notamment pour les nœuds technologiques au-dessous de 22 nanomètres, là où les solutions actuelles posent des défis de coût et d'intégration. « Lorsque nous avons conçu la dernière mémoire MRam Persyst, haute densité, avec prise en charge de l'interface NOR, nous avons anticipé les besoins liés aux opérations fréquentes de configuration d’un FPGA, explique Sanjeev Aggarwal, président et directeur général d'Everspin Technologies. Avec plusieurs conceptions déjà en cours, ce partenariat montre comment nos solutions MRam délivrent les performances et la fiabilité requises dans diverses applications. Notre collaboration avec Lattice Semiconductor reflète in fine la demande croissante de solutions de mémoire rapides et fiables qui répondent aux besoins des systèmes critiques. » Selon Everspin et Lattice, contrairement à la mémoire flash NOR qui nécessite un temps de programmation et d'effacement long, la MRam procure une grande endurance, des vitesses de lecture/écriture rapides et une rétention de données très élevée. Ces attributs rendent cette technologie de sauvegarde particulièrement adaptée aux environnements critiques, notamment, toujours selon Lattice et Everspin, pour le traitement des capteurs en temps réel, l'enregistrement des données dans l'avionique et la reprogrammation en orbite pour les systèmes spatiaux. D’un point de vue technique, le MRam non volatile Persyst EMxxLX d’Everspin procure des capacités de stockage allant jusqu'à 128 Mo, une endurance élevée dans les environnements critiques et la prise en charge de vitesses d'écriture rapides pour les secteurs de l'IoT industriel, des centres de données et autres applications critiques où la persistance des données est primordiale.

Everspin et Lattice Semiconductor collaborent sur des solutions d’intégration de mémoires MRam à haute fiabilité dans des FPGA

La mémoire Mram (Magnetoresistive Random Access Memory) Persyst de la société américaine Everspin, développeur et fabricant mondial de solutions de mémoire persistante, vient d’être validée pour entrer dans la configuration de toutes les familles de FPGA de Lattice, annonce la société.

Cette mémoire sera activée à travers la suite logicielle Radiant de Lattice et grâce à cette validation sera désormais disponible en tant que dispositif de mémoire robuste pour une large gamme d'applications dans des secteurs tels que l'industrie, l'aérospatiale, l'armée et l'automobile.

Pour rappel, la technologie MRam est en train de révolutionner les mémoires embarquées dans les systèmes fondés sur des microcontrôleurs et maintenant des circuits programmables. Elle utilise les effets de la spintronique, que l’on peut voir comme un mariage entre électronique et magnétisme, pour stocker l’information. La MRam permet notamment d'optimiser la densité de stockage, la consommation d'énergie et les vitesses de lecture/écriture, en faisant d’elle une alternative aux technologies mémoire traditionnelles, notamment pour les nœuds technologiques au-dessous de 22 nanomètres, là où les solutions actuelles posent des défis de coût et d'intégration.

« Lorsque nous avons conçu la dernière mémoire MRam Persyst, haute densité, avec prise en charge de l'interface NOR, nous avons anticipé les besoins liés aux opérations fréquentes de configuration d’un FPGA, explique Sanjeev Aggarwal, président et directeur général d'Everspin Technologies. Avec plusieurs conceptions déjà en cours, ce partenariat montre comment nos solutions MRam délivrent les performances et la fiabilité requises dans diverses applications. Notre collaboration avec Lattice Semiconductor reflète in fine la demande croissante de solutions de mémoire rapides et fiables qui répondent aux besoins des systèmes critiques. »

Selon Everspin et Lattice, contrairement à la mémoire flash NOR qui nécessite un temps de programmation et d'effacement long, la MRam procure une grande endurance, des vitesses de lecture/écriture rapides et une rétention de données très élevée. Ces attributs rendent cette technologie de sauvegarde particulièrement adaptée aux environnements critiques, notamment, toujours selon Lattice et Everspin, pour le traitement des capteurs en temps réel, l'enregistrement des données dans l'avionique et la reprogrammation en orbite pour les systèmes spatiaux.

D’un point de vue technique, le MRam non volatile Persyst EMxxLX d’Everspin procure des capacités de stockage allant jusqu'à 128 Mo, une endurance élevée dans les environnements critiques et la prise en charge de vitesses d'écriture rapides pour les secteurs de l'IoT industriel, des centres de données et autres applications critiques où la persistance des données est primordiale.