
Améliorer la conversion d’énergie des watts jusqu’aux mégawatts avec des MOSFET SiC 1 700 V [APPLICATION MICROCHIP] Dans le monde de l’électronique de puissance, plus gros n’est jamais synonyme de meilleur. C’est particulièrement vrai pour les systèmes de puissance haute tension, pour lesquels les concepteurs réclament une technologie de semi-conducteurs plus performante pour ceux qui veulent des convertisseurs compacts, légers, fiables, efficaces, e tpeu chers. Avec les MOSFET et les IGBT au silicium, des compromis doivent être faits. Les MOSFET haute tension au carbure de silicium (SiC) sont ici la clé. Améliorer la conversion d’énergie des watts jusqu’aux mégawatts avec des MOSFET SiC 1 700 V, un article de la société Microchip à lire et à télécharger au format PDF ici.

Améliorer la conversion d’énergie des watts jusqu’aux mégawatts avec des MOSFET SiC 1 700 V

[APPLICATION MICROCHIP] Dans le monde de l’électronique de puissance, plus gros n’est jamais synonyme de meilleur. C’est particulièrement vrai pour les systèmes de puissance haute tension, pour lesquels les concepteurs réclament une technologie de semi-conducteurs plus performante pour ceux qui veulent des convertisseurs compacts, légers, fiables, efficaces, e tpeu chers. Avec les MOSFET et les IGBT au silicium, des compromis doivent être faits. Les MOSFET haute tension au carbure de silicium (SiC) sont ici la clé.

Améliorer la conversion d’énergie des watts jusqu’aux mégawatts avec des MOSFET SiC 1 700 V, un article de la société Microchip à lire et à télécharger au format PDF ici.