La firme taïwanaise Winbond Electronics, fournisseur de solutions mémoire à semi-conducteurs, annonce l'extension de sa collaboration avec l’allemand Infineon autour de la technologie de mémoire HyperRAM dont la troisième génération simplifie le design d’un circuit et double le débit de données, pour in fine accroître la performance des appareils IoT.

Pour rappel, après avoir racheté Cypress en 2019, société à l’origine de la technologie HyperRAM, Infineon Technologies a poursuivi les développements autour de cette approche avec aujourd’hui la famille des mémoires HyperRAM 3.0, conmune avec Winbond.

Selon Winbond, les mémoires HyperRAM sont des pseudo-SRam rapides à brochage compact adaptées aux applications IoT à faible consommation et faible encombrement nécessitant une mémoire RAM externe. Les mémoires HyperRAM 3.0 fonctionnent à une fréquence maximum de 200 MHz sous une tension de 1,8 V - tout comme les modèles HyperRAM 2.0 et RAM Octal xSPI - mais avec un débit de données de 800 Mo/s, soit le double du débit disponible jusqu'alors.

Cette génération de mémoire met à profit l'interface HyperBus sur 16 bits étendue à 22 entrées/sorties. Selon Winbond, nombre réduit d'entrées/sorties, faible encombrement et facilité de commande sont trois caractéristiques notables des mémoire HyperRAM, leur permettant d'améliorer significativement la performance des appareils IoT.

De plus, cette technologie, toujours selon Winbond, simplifie sensiblement la conception d’un circuit imprimé, augmente la durée de fonctionnement des batteries et peut se coupler à un processeur au travers d'un nombre plus petit d'entrées/sorties tout en augmentant la bande passante par rapport aux mémoires DRam, SDRam et CRam/PSRam.

Le premier membre de la famille HyperRAM 3.0 sera un composant à 256 Mbits fourni en boîtier WLCSP KGD pour une implantation directe sur un module ou une carte.